鋰電世界  日本東北大學(xué)金屬材料研究所2013年1月30日宣布，該研究所教授米永一郎及副教授沓掛健太朗等人組成的研究小組，研究出了太陽能電池用硅晶體的新培育方法，成功培育出了類單晶硅。類單晶硅與多晶硅一樣，都是在坩堝中使硅融液從下部開始向一個方向凝固、生長來制造。此時，在坩堝底部鋪上單晶硅的籽晶，便可獲得單晶硅錠。為了與以往通過CZ法制造的單晶硅相區(qū)別，這種單晶硅被稱為類單晶硅。
    抑制多晶化的機理。坩堝近旁的擴大圖。Σ3晶界與Σ5晶界反應(yīng)變成Σ15晶界，可由此使多晶區(qū)域停止向坩堝中央推進。
    目前使用的太陽能電池用基板中，多晶硅約占50％，單晶硅約占40％，而類單晶硅則被視為有望使轉(zhuǎn)換效率進一步提高的材料。不過，在通過硅融液用籽晶培育類單晶硅的過程中，與坩堝接觸的部分會產(chǎn)生大量方向與籽晶不同的結(jié)晶粒，會出現(xiàn)多晶體占有部分擴大的多晶化問題。為了解決這一問題，此次通過復(fù)合籽晶來形成人造晶界，利用這一晶界來抑制不需要的多晶區(qū)域的擴大。
    分別從利用原有技術(shù)及新技術(shù)培育的類單晶硅錠中切割出來的晶圓的截面照片。除了人工晶界的形成之外，均在同一工序及條件下制造。多晶化的部分用黃色表示。右圖中的白虛線表示人工形成的Σ5晶界的位置。借助Σ5晶界，將多晶化限制在不作為太陽能電池使用的硅錠外周部。
    研究小組首先發(fā)現(xiàn)，導(dǎo)致多晶化的、坩堝壁產(chǎn)生的結(jié)晶粒大多是被稱為Σ3的晶界。該Σ3晶界通常相對于硅錠生長方向傾斜產(chǎn)生，因此在生長的同時會向硅錠的中央部分推進，使這一多晶部分的面積擴大。
此次研究出的方法利用復(fù)合的種晶沿坩堝壁形成名為Σ5的晶界。該Σ5晶界在硅錠生長階段會沿著生長方向筆直伸長。然后，與坩堝壁生產(chǎn)的Σ3晶界反應(yīng)，形成Σ15晶界。Σ15晶界也會沿著生長方向伸長，因此，在該晶界形成時，就能抑制多晶顆粒的擴大。
    關(guān)于基于這一機理的10厘米見方硅錠，研究小組成功培育出了多晶化得到抑制的硅錠。一般而言，從坩堝壁長出的數(shù)厘米的部分無法用作太陽能電池晶圓，因此目前多結(jié)化硅錠的類單晶晶圓的成品率僅為36％左右。但此次的方法將多晶化的范圍控制在了坩堝壁附近，因此可將成品率提高至近100％。另外，此次的方法可直接使用目前的太陽能電池多晶硅生產(chǎn)線，并且無需對制造工序進行調(diào)整，可迅速便捷地采用。研究小組今后將努力降低類單晶硅的位錯（結(jié)晶缺陷）密度，以實現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率可與單晶硅匹敵的晶體。位錯缺陷大多從晶界發(fā)生，因此，研究小組今后還將推進晶界方面的研究，實現(xiàn)可有效抑制位錯發(fā)生的晶界。