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英特爾Haswell提升電池壽命和繪圖效能

   2012-09-13 鋰電世界佚名11540
核心提示: 中國電池網 在2012IDF上,英特爾(Intel)介紹了首款采用其22nm三閘極(tri-gate)電晶體制程的嶄新架構──新一代處理器Haswell,強調可強化電池使用壽命和繪圖效能。 英特爾架構部門總經理Dadi Perl

    鋰電世界  在2012IDF上,英特爾(Intel)介紹了首款采用其22nm三閘極(tri-gate)電晶體制程的嶄新架構──新一代處理器Haswell,強調可強化電池使用壽命和繪圖效能。

    英特爾架構部門總經理Dadi Perlmutter表示,雙核心和四核心的客戶端版本Haswell將在今年四月隨PC出貨。他指出,該晶片的早期版本在一款原型系統上執行時,功耗便已低于8W,遠低于英特爾現有Sandy Bridge處理器的17W。

    Linley Group公司資深分析師兼《微處理器報告》編輯Kevin Krewell表示,新處理器對許多消費者帶來的最直接影響,將會是更長的電池壽命和更好的繪圖性能,。然而,除非你去最佳化和編譯該晶片的強化AVX2程式碼,否則你無法得到這款處理器的大多​​數真正優勢。

    該架構適用的領域將比英特爾之前任何一款處理器都更寬廣,從無風扇平板到高階伺服器都包含在內。一種稱之為S0ix的全新超低主動功耗狀態進一步推升了Haswell的電源管理能力,并讓閑置功耗可再降低20倍。

    “當Haswell平臺在處理少量任務時,它幾乎都是處在這個新的狀態之下”英特爾院士Per Hammarlund說。

    Haswell在高低功耗之間的轉換速度也比現有x86晶片快得多。另外,它還為Serial ATA,PCI Express和USB埠采用了新的低功耗模式。


 

    Haswell執行功率小于8W,而Intel目前的處理器超過17W。

    在繪圖部份,Haswell提供了全新的GT3版本,它復制了現有Ivy Bridge繪圖晶粒部份的關鍵部份。這讓它具備比現行英特爾CPU高出兩的繪圖效能。

    新的AVX2指令包括一個融合的多倍址,如此一來該晶片便可在每周期執行兩次,實現比Sandy Bridge架構高出一倍的浮點性能。其他的新指令還有助于加密或簡化平行任務。

    例如,該晶片支援兩種形式的事務型記憶體(transactionalmemory),可用于大型資料庫的自動更新,這種能力對伺服器特別有用。

    Haswell的快取記憶體和前一代晶片相同,但英特爾表示,為增加性能,該公司為L1和L2快取增加了一倍頻寬。

    Krewell估計,現有的軟體將可因新的CPU獲得10%的性能增益。但采用新指令集的程式碼將可獲得更大優勢。

 
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