齊星新材料T500低成本鎳鈷錳酸鋰核心技術(shù)：

項(xiàng)目采用程序升溫的新型工藝技術(shù)，根據(jù)三元晶體的生長(zhǎng)特點(diǎn)，在晶體生成的不同階段采用不同的溫度及升溫速度。在晶體顆粒形成初期采用隧道窯低溫?zé)Y(jié)，可以有效保持材料微小晶粒的生成，避免高溫引起的顆粒團(tuán)聚。當(dāng)小晶體穩(wěn)定生長(zhǎng)時(shí)采用輥道窯高溫?zé)Y(jié)加速生長(zhǎng)，高溫保證了材料生長(zhǎng)的一致性。高溫?zé)Y(jié)后材料晶化程度提高，晶體結(jié)構(gòu)更完整、穩(wěn)定，晶體結(jié)構(gòu)平穩(wěn)過(guò)渡，實(shí)現(xiàn)鎳、鈷、錳整體結(jié)構(gòu)規(guī)范，提高其綜合性能。

齊星新材料T500低成本鎳鈷錳酸鋰創(chuàng)新點(diǎn)：

齊星新材料T500低成本鎳鈷錳酸鋰采用納米氧化物包覆對(duì)523三元正極材料進(jìn)行表面包覆改性，以提高材料的首次放電效率、循環(huán)過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及安全性。納米氧化物包覆層可以有效隔離正極材料和電解液，減少了兩者之間的副反應(yīng)，同時(shí)形成了最優(yōu)的固體電解質(zhì)界面膜（SEI膜），促進(jìn)鋰離子在放電過(guò)程及隨后循環(huán)過(guò)程中的傳輸，提升材料的導(dǎo)電能力，改善材料的倍率性能和循環(huán)性能。